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半導體材料研究 獲重大突破

工商時報【記者呂雪彗╱台北報導】

半導體材料瓶頸可望突破!科技部昨(3)日宣布,台灣、日本、沙烏地阿拉伯等跨國團隊,已研究出單層二硫化鉬P-N接面,可望取代矽晶片footpure鞋蜜粉門市成為新世代半導體核心元件,廣泛應用在穿戴式裝置及手機中。

這是全球第1個發表新世代半導體材料基礎研究成果,不但將刊登在最新一期國際期刊《SCIENCE》中,交大研究團隊透露,這項結果可望吸引台積電更積極合作研究,以早日搶占全球市場商機。

在科技部大力支持「尖端晶體材料開發及製作計畫」科技預算下,半導體材料瓶頸有了重大突破。台灣研究團隊計畫主持人交大電子物理系教授張文豪指出,英特爾及三星均積極投入單層元件材料研究,台積電也積極與學界接洽合作,未來誰能搶先開發單層元件材料,就能在全球市場占有一席之地。

張文豪說,單層二硫化鉬是全球科學家認為新世代半導體頗有潛力的材料,這次研究團隊發展出單層二硫化鉬及單層二硒化鎢的完美P-N接面,可望解決半導體元件製備關鍵問題。

張文豪說,未來可廣泛應用於極度微小化的電子元件,尤其單層二硫化鉬具有極輕薄透明特性,有潛力應用在未來低耗能軟性電子與穿戴式電子元件,或手機應用中。

張文豪說,台籍科學家李連忠過去為中研院研究員,被沙國國王科技大學延攬成為沙國科學家,他籌組台灣、沙國、日本等跨國合作團隊進行大型合作計畫。台灣研究團隊除張文豪外,還有交大材料系教授韋光華、中研院應科中心研究員朱治偉等人。

科技部指出,二硫化鉬是繼石墨烯後,備受國際科學家關注層狀材料,單層二硫化鉬具有良好發光效率,極佳電子遷移率(可快速反應)與高開關比(電晶體較穩定),可用於未來新型低耗能邏輯電路,極有可能取代目前矽晶做下世代主要核心元件。

科技部指出,國際半導體大廠如Intel、台積電及三星等,最小元件技術約落在7~10奈米間,而這項研究成果為二硫化鉬腳臭 泡腳及相關無機二維材料電子學研究及應用,將有助二硫化鉬等材料應用在2奈米半導體製程技術中。



新聞來源https://tw.news.yahoo.com/半導體材料研究-獲重大突破-215005535--finance.html

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